04.10.2012 17:50 Uhr, Quelle: WinFuture.de

Extreme Spannung bringt schnellere Transistoren

Durch ein neues Verfahren kann die Verspannung von Silizium deutlich weiter getrieben werden als bisher. Dadurch könnte die Chipindustrie eine Grundlage für die Entwicklung deutlich leistungsfähigerer (Weiter lesen)Mehr zum ThemaInfrarot-Schnittstelle auf 1 Gbit/s hochgetriebenFälschungssichere Kreditkarten durch Quantenphysik

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