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22.09.2011 18:05 Uhr, Quelle: golem

Samsung: Serienfertigung von DDR3-Speicher mit 20 nm hat begonnen

Als erster Chiphersteller hat Samsung die Serienproduktion von DDR3-DRAM mit 20 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zunächst gibt es einen 2-GBit-Chip, Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine folgen. Das verspricht größere und günstigere Speichermodule. (Technologie, Samsung)

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