24.03.2011 17:50 Uhr, Quelle: ComputerBase

Samsung produziert Low-Power-DDR2 in 30 nm

Samsung hat diesen Monat mit der Produktion von 4 Gbit großen „Low Power DDR2 DRAM“-Chips in einem Prozess der 30-nm-Klasse begonnen. Dies geht aus einer heute veröffentlichten Pressemitteilung hervor. Muster der DRAM-Chips fertigt das koreanische Unternehmen bereits seit dem vergangenen Dezember.

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