Nach der jüngsten Verlautbarung, die 25-nm-DDR3-DRAM-Produktion deutlich steigern zu wollen, gibt Samsung nun einen weiteren „Meilenstein“ bekannt: Der Hersteller startet mit der Massenfertigung von 4-Gigabit-Chips in 20 Nanometer Strukturbreite. Die Effizienz soll gegenüber 25 nm bis zu 25 Prozent verbessert worden sein.
