10.12.2009 14:05 Uhr, Quelle: golem

Toshiba erforscht 20-nm-Transistoren und Spintronik-FET

Auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in Baltimore hat Toshiba zwei neue Bauformen für Transistoren vorgestellt. Für Bulk-Silizium mit Strukturbreiten um 20 Nanometer schlägt Toshiba die Verwendung von Kohlenstoff vor, weitere Verkleinerungen sollen sich unter anderem durch Spintronik ergeben. (Prozessor, TSMC)

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