31.01.2009 16:05 Uhr, Quelle: ComputerBase

4-GBit-Speicherchips in 50 nm von Samsung

Samsung, seit Jahren Vorreiter bei der Entwicklung von DRAM-Chips, hat Ende vergangener Woche die Fertigung erster 4-Gigabit-DRAM-Module nach DDR3-Standard bekannt gegeben. Damit ließen sich unter Verwendung der Dual-Die-Technologie erstmals Speicherriegel mit einer Kapazität von 32 Gigabyte realisieren.

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