Auf dem Flash Memory Summit hat Toshiba neue Techniken für SSDs mit 100 TByte und mehr beschrieben. Künftig soll QLC-Flash (Quadruple-Level Cell) mit vier Datenbit pro Speicherzelle mehr Informationen sichern. Zudem will Toshiba künftig 32 statt 16 Dies des 3D-NANDs (BiCS) mittels TSV-Technik in einem Package unterbringen.
