04.02.2016 17:02 Uhr, Quelle: ComputerBase

Samsung Foundry: 10-nm-SRAM-Zelle 38 Prozent kleiner als in 14 nm

Zum ISSCC hat Samsung einige Details zur kommenden 10-nm-Fertigung preisgegeben. Die 6T-SRAM-Zelle ist 38 Prozent kleiner als noch in 14-nm-FinFET-Fertigung und belegt in der High-Density-Konfiguration eine Fläche von nur 0,040 mm².

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