ReRAM (Resistive Random-Access Memory) gilt neben STT-MRAM und Phase Change Memory als der Kandidaten für den Speicher der Zukunft. Das bisher fortschrittlichste Design konnte nun Crossbar, ein US-Amerikanisches Start-up präsentieren – die bereits funktionierenden Entwürfe sollen sich in großen Fabriken produzieren lassen.
