Samsung hat auf seinem Mobile Solutions Forum in Taipeh angekündigt, ab sofort mit der 60-Nanometer-Fertigung von 512-MBit-Modulen des nicht flüchtigen "Phase-Change Random Access Memory" (PRAM) zu beginnen. PRAM soll eine hohe Leistung mit niedrigem Stromverbrauch kombinieren und auf lange Sicht den vor allem in Mobilgeräten verbauten NOR-Flashspeicher ablösen.
