Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Fabrik in Villach, Österreich, herzustellen. Diese Umsetzung dürfte sich vor allem langfristig sowohl hinsichtlich der Kapazität und Kosten und damit wirtschaftlich auszahlen.
