12.07.2017 23:49 Uhr, Quelle: ComputerBase

BiCS Flash with TSV: Durchkontaktierter 3D‑NAND als Prototyp verfügbar

Was Toshiba bereits bei 2D-NAND nutzte, hält nun auch beim 3D-NAND Einzug: Mehrere übereinander liegende Dies werden mittels TSV-Technik vertikal durchkontaktiert. Gegenüber den klassischen Drahtbonden an den Chip-Rändern soll dies die Leistung steigern und die Leistungsaufnahme senken. Jetzt stehen Prototypen bereit.

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