06.06.2017 14:01 Uhr, Quelle: Heise

IBM und Fertigungspartner zeigen 5-Nanometer-Transistor mit "Gate All Around"

IBM meldet die erfolgreiche Fertigung erster Chip-Muster mit GAA-FETs mit 5-nm-Strukturen; bei diesen Nanosheet-Transistoren kam auch EUV-Lithografie zum Einsatz.

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