Micron plant drei überarbeitete oder neue Speichertechnologien für 2016: Das kommende DRAM soll im 1X-nm-Verfahren produziert werden, die ersten 3D-TLC-Flash-Bausteine mit 48 GByte Kapazität sollen in SSDs stecken. Außerdem sind auf 3D-Xpoint-Speicher basierende Produkte geplant. (Micron, Speichermedien)
