12.06.2012 15:35 Uhr, Quelle: Heise

STMicroelectronics und Globalfoundries kooperieren bei 20-nm-FD-SOI-Technik

Schon 2013 soll die Fertigung von Hableiterbauelementen mit 20-Nanometer-Strukturen auf Fully-Depleted-SOI-Wafern bei Globalfoundries anlaufen; ST nutzt FD-SOI bereits für den 28-nm-Node.

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