16.04.2012 17:50 Uhr, Quelle: WinFuture.de

Durchbruch bei der Oxid-Elektronik für große LCDs

Forschern vom Institut für Experimentelle Physik der Universität Leipzig ist es erstmals gelungen, einen Oxid-Feldeffekttransistor mit pn-Diode als Gate herzustellen. Das stellt einen wichtigen Durchbruch im (Weiter lesen)Mehr zum ThemaGamescom 2012: Nintendo wird nicht teilnehmenMutter nach 25 Jahren dank Google Earth gefunden

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