In seinem Semiconductor-Bereich hat Samsung bekannt gegeben, dass man Ende des vergangenen Monats erfolgreich die ersten DDR4-RAM-Module fertigen konnte. Die verwendeten RAM-Chips besitzen eine Strukturbreite von 30 Nanometer und werden mit 1,2 Volt betrieben. Im Vergleich zu DDR3 sind dies 0,15 Volt bis 0,3 Volt weniger. Zum Einsatz kommt dabei auch die aus Grafikchips entliehene POD-Technik (Pseudo Open Drain), mit der die Leistungsauf
