19.04.2010 12:05 Uhr, Quelle: ComputerBase

Samsung zeigt Flashbausteine in 20 nm

Samsung hat heute erstmals in einem 20-nm-Prozess hergestellte NAND-Flash-Bausteine vorgestellt. Die MLC-Speicherchips haben eine Kapazität von 32 Gbit und sind für SD-Speicherkarten und Embedded-Lösungen vorgesehen. Die vorherige 30-nm-Prozessgeneration hatte man erst vor einem Jahr vorgestellt und im Dezember erweitert.

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