Knapp drei Wochen nach Samsung verkündet auch SK Hynix die Auslieferung der ersten Musterchips des Speicherstandards HBM4E. Die Eckdaten lesen sich identisch: Auf 12 DRAM-Schichten können 48 GB gespeichert werden. Der Durchsatz pro Pin liegt bei bis zu 16 Gbit/s.
