Im Dezember hat SK Hynix auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) über Forschungsprojekte im Bereich NAND-Flash referiert. Dazu zählt die Multi-Site-Cell-Technik mit Potenzial für 5 Bit pro Zelle sowie der effiziente 3D FeNAND, der möglichst viele TOPS/Watt liefern soll. Schon nahezu marktreif ist die CTI-Technik.
