SK Hynix zeigt auf der CES, woran der neue DRAM-Marktführer als nächstes arbeitet. Darunter sind HBM4 mit 48 GB auf 16 Layern oder mit hohen 11,7 Gbit/s, der neuer QLC-NAND mit 2 Tbit auf 321 Layern und LPDDR6- sowie SOCAMM2-Speicher. Interessant ist auch die Idee des „Custom HBM“ (cHBM).
