Forscher von Samsungs Halbleitersparte arbeiten an einer neuen Form von NAND-Flash-Speicher. Mit Hilfe sogenannter Ferroelectric Field-Effect Transistors (FeFETs) soll sich die Leistungsaufnahme drastisch reduzieren lassen. Dennoch sollen beim „Ultra-Low Power NAND-Flash“ bis zu 5 Bit pro Zelle möglich sein.
