Wie bei 3D-NAND für SSDs könnten bald auch die Speicherzellen von DRAM-Chips für Arbeitsspeicher in mehreren Ebenen übereinander gestapelt werden, um die Flächendichte massiv zu steigern. Das Startup NEO Semiconductor hat mit 3D X-DRAM ein entsprechendes Konzept vorgestellt. Samsung erwägt ähnliches als Vertically Stacked DRAM.
