Neue vertikale Transistoren haben das Potenzial, 85 Prozent der Energie von aktuellen FinFET-Lösungen im Einsatz einzusparen, erklärt IBM in Zusammenarbeit mit Samsung zur Fachkonferenz IEDM. Die Alternative sind wie üblich performantere Systeme bei gleichem Energiebedarf – der Zuwachs ist mit einem Faktor 2 so groß wie selten.
