Bei der nichtflüchtigen Speichertechnik Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) soll die Weiterentwicklung Spin Orbit Transfer (SOT-MRAM) mehr Leistung und eine höhere Speicherdichte als der verfügbare STT-MRAM bieten. Doch bleibt es vorerst bei der Theorie, denn vor 2024 sind Produkte mit SOT-MRAM nicht zu erwarten.
