06.03.2019 10:46 Uhr, Quelle: ZDNet Deutschland

Samsung startet Massenfertigung von 28-Nanometer-eMRAM

Embedded Magnetic Random Access Memory ist ein nicht flüchtiger Speicher. Er bietet jedoch die Leistung von flüchtigem DRAM-Speicher. Mögliche Einsatzgebiete sind Micro-Controller, das Internet der Dinge und künstliche Intelligenz.

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