Es ist eine Weiterentwicklung des 10-Nanometer-Verfahrens. Somit basiert es auch auf der etablierten FinFET-Technik, von der sich Samsung schnell eine hohe Produktionsausbeute verspricht. Den Umstieg auf das EUV-Verfahren, das Strukturen kleiner als 8 Nanometer ermöglicht, plant Samsung für 2018.
