Was Toshiba bereits bei 2D-NAND nutzte, hält nun auch beim 3D-NAND Einzug: Mehrere übereinander liegende Dies werden mittels TSV-Technik vertikal durchkontaktiert. Gegenüber den klassischen Drahtbonden an den Chip-Rändern soll dies die Leistung steigern und die Leistungsaufnahme senken. Jetzt stehen Prototypen bereit.
