Eigentlich wollte Samsung die vierte Generation des V-NAND bereits im vierten Quartal 2016 in Serie fertigen. Doch erst heute folgt die Verkündung des Beginns der Massenproduktion. Der neue 3D-TLC-NAND besitzt 64 Layer und 256 Gbit Speicherplatz. Von den angekündigten 512 Gbit ist noch keine Rede, dafür sind die Chips schneller.
