Einem internationalen Team von Physikern ist es gelungen, die Ursachen von extremen Widerstandsänderungen in Metall-Sauerstoff-Verbindungen zu entschlüsseln. Das Verständnis dieses Effekts kann nun dafür genutzt werden, neuartige Formen von nichtflüchtigen Datenspeichern zu entwickeln. "Diese neuen Speicher können als Ersatz für Flash in USB-Sticks und Handys dienen", sagt der Wissenschaftler Christian Jooß, der die Arbeit am Institut für Materialphysik der Georg-August-Universität leitet. Gegenüber aktuell verwendeten Flash-Speichern zeichnet sich "Resistive-RAM" durch eine höhere Speicherdichte bei gleichzeitiger Senkung der Produktionskosten aus.
