IBM und TDK wollen gemeinsam MRAM (Magnetic Random Access Memory) mit hoher Kapazität entwickeln. Dabei handelt es sich um eine Alternative zu Flash-Speicher und statischen RAMs. Gegenüber Flash sollen MRAMs nahezu unbegrenzt wiederbeschreibbar sein und wesentlich länger halten. Dabei setzen IBM und TDK auf einen neuen Ansatz, der höhere Speicherdichten erlauben soll als bisherige MRAM-Umsetzungen. (IBM)
