16.09.2016 14:10 Uhr, Quelle: Heise

Globalfoundries: 7-nm-FinFETs, 12 nm FD-SOI und eMRAM

Der Chip-Auftragsfertiger kündigt für 2018 die Vorserienproduktion von Bauelementen mit 7-Nanometer-Transistoren an, dann soll es auch Embedded MRAM in 22-nm-Chips auf Fully-Depleted-SOI-Wafern geben und ab 2019 auch 12-nm-Strukturen auf FD-SOI.

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