Seit vielen Jahren wird an Phasenwechselspeicher, geläufiger unter dem englischen Namen Phase-Change Memory (PCM), geforscht. Ein Teilziel ist die Speicherung von mehreren Bit pro Zelle, um die Speicherdichte zu erhöhen. IBM-Forschern ist es gelungen, erstmals drei Datenbit pro Zelle zuverlässig zu sichern und zu erhalten.
