05.04.2016 15:55 Uhr, Quelle: Heise

Samsung fertigt SDRAM-Chips mit Strukturbreiten unter 20 Nanometern

Die Speicherbausteine der 10-Nanometer-Klasse belegen weniger Siliziumfläche als ihre 20-nm-Vorgänger, arbeiten sparsamer und sollen auf (LR-)DIMMs mit bis zu 128 GByte sitzen.

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