Forscher von Infineon haben heute in Japan erstmals Details einer neuen Transistorarchitektur vorgestellt, die viele Hindernisse zu noch kleineren, leistungsfähigeren elektronischen Schaltungen und Geräten aus dem Weg räumen soll. Zehnmal kleinere Ruheströme und rund 50 Prozent weniger Energiebedarf zum Schalten als bei heutigen 65 nm großen Transistoren dank des Multi-Gate-Feldeffekts verspricht der Halbleiterhersteller. (Prozessor)
