Vom Übereinanderstapeln mehrerer DRAM-Dies, die mittels Silizium-Durchkontaktierung miteinander verbunden werden, verspricht sich die Branche höhere Speicherdichten, mehr Leistung und weniger Energiebedarf. Samsung beginnt nun mit der Massenfertigung erster 64-GB-DDR4-Module mit „3D-TSV-Technik“.
