28.11.2013 17:05 Uhr, Quelle: Heise

Fujitsu und Transphorm kooperieren bei effizienten Schalttransistoren

Halbleiterbauelemente aus Galliumnitrid (GaN) kommen bisher vor allem in Hochfrequenz-Schaltungen zum Einsatz, können aber auch den Wirkungsgrad von Spannungswandlern steigern, also Energie sparen.

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