09.08.2013 11:35 Uhr, Quelle: Heise

Intel startet Bau der ersten Fab für 450-mm-Wafer

Am Standort Hillsboro bei Portland in Oregon baut Intel das Modul 2 der Fab D1X aus: Es soll ab 2015 Siliziumscheiben mit 45 Zentimetern Durchmesser verarbeiten.

Weiterlesen bei Heise