Physiker der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) haben ein Verfahren entwickelt, mit dem sich aus Graphen und Siliziumkarbid leistungsfähige integrierte Schaltkreise herstellen lassen. Für (Weiter lesen)Mehr zum ThemaBismut könnte bessere Elektronik ermöglichenAktuelle Satellitenbilder werden bald frei verfügbar
