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Mit dem ReRAM Chip, der jetzt an der UCL auf Siliziumoxid-Basis weiterentwickelt wurde, könnten wir wir in Kürze schon einen massiven Sprung unter den Speichermedien erleben. Die Chips mit einem tausendstel der Energie eines Flash-Speichers auskommen, ohne Vakuum arbeiten und obendrein die Eigenschaften von DRAM und NAND-Flash verbinden. Millionen Löschzyklen, die Geschwindigkeit von DRAM und sogar die Möglichkeit des Einsatzes als Prozessor stehen im Fokus der Entwicklungen. Bis wir allerdings bei ähnlichen Größen wie jetzt bei Flash-Speichern landen, dürfte es wieder Mal eine Weile hin sein.
