Forschern vom Institut für Experimentelle Physik der Universität Leipzig ist es erstmals gelungen, einen Oxid-Feldeffekttransistor mit pn-Diode als Gate herzustellen. Das stellt einen wichtigen Durchbruch im (Weiter lesen)Mehr zum ThemaGamescom 2012: Nintendo wird nicht teilnehmenMutter nach 25 Jahren dank Google Earth gefunden
