Samsung hat die Entwicklung eines 32 Gigabyte großen DDR3-RDIMMs für Server angekündigt, bei dem die 4-Gigabit-Speicherchips mittels TSV-Technologie übereinander gestapelt werden. Die Speicherchips werden in einem Prozess der 30-Nanometer-Klasse gefertigt, das heißt die Strukturbreite beträgt zwischen 30 und 39 Nanometer.
