Hynix und Toshiba haben heute eine strategische Zusammenarbeit zur gemeinsamen Entwicklung von sogenanntem Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM) bekanntgegeben. Sobald die Entwicklung der Technologie abgeschlossen ist, planen die Unternehmen durch ein Joint-Venture auch gemeinsam zu produzieren.
