Forscher von IBM Research ist ein entscheidender Schritt bei der breiten Nutzbarmachung von sogenanntem Phase-Change Memory (PCM) oder PRAM (Phase-Change Random Access Memory) gelungen. Sie konnten erstmals zeigen, dass das zuverlässige Speichern von mehreren Bit pro Zelle (Multi-Level) über einen längeren Zeitraum möglich ist.