Samsung hat neue DDR3-RAM-Module mit einer Kapazität von bis zu 32 GB vorgestellt. Sie bestehen aus 4-Gbit-DRAM-Chips mit einer Strukturbreite von nur 30 Nanometer und erreichen damit eine Geschwindigkeit von bis zu 1,866 GB pro Sekunde. Für die zweite Jahreshälfte plant Samsung zudem schnellere Chips mit einer Strukturbreite von 20 Nanometer. Neben dem großen RAM-Modul hat Samsung auch ein verbessertes Notebook-Modul (DDR3-2133) mit 8 G
