Gemeinsam mit dem Speicher-Profi Micron kündigte Intel am gestrigen Donnerstag neue 20-nm-Herstellungsverfahren für NAND-Flashspeicher an. Damit lassen sich nach Angaben der Unternehmen 8 Gigabyte Kapazität auf einer Fläche von 118 Quadratmilimeter erreichen – spannend vor allem für mobile Geräte, wenn platzsparendes Design entscheidend ist. Zudem wird die Technologie auch für SSDs interessant sein. Intel zufolge
