Samsung hat den Produktionsstart von 64 Gbit großen NAND-Flash-Chips mit 3-Bit-Zellen und in einem Prozess der 20-nm-Klasse – das heißt zwischen 20 und 29 Nanometer – bekannt gegeben. Verglichen mit herkömmlichen Multi-Level-Cell-Speicherchips (MLC) mit 2 Bit pro Zelle sind nochmals höhere Speicherdichten möglich.
