Wie Samsung bekannt gegeben hat, wurde mit der Fertigung der ersten NAND-Flash-Chips in 20 Nanometer Strukturbreite und 64 Gbit (8 GB) Kapazität begonnen. Die Chips sind als MLC (Multi Level Cell) organisiert und speichern je Flash-Zelle drei Bits. Darüber hinaus beherrschen die neuen Chips Toggle DDR, womit sie im Vergleich zum bisherigen Flash-Speicher mit 32 Gbit Kapazität (4 GB) und SDR eine Geschwindigkeitssteigerung um bis zu 60 Pr
