Intel und Micron haben unter der Bezeichnung Triple-Level-Cell (TLC) eine neue NAND-Flash-Technologie vorgestellt, die eine höhere Speicherdichte ermöglicht. TLC speichert drei Bit pro Zelle, im Gegensatz zu einem Bit bei Single-Level-NAND-Flash (SLC) beziehungsweise zwei Bit bei Multi-Level-NAND-Flash (MLC).
