Wie der koreanische Elektronikkonzern Samsung bekannt gab, hat man mit der Fertigung der ersten DDR3-RAM-Module in 30 Nanometer Strukturbreite begonnen. Die verbauten Chips erreichen eine Kapazität von jeweils 2 Gbit, womit RAM-Module mit bis zu 32 GB Kapazität möglich sind. Durch die verringerte Strukturbreite konnte Samsung zudem die notwendige Leistungsaufnahme verringern und die Geschwindigkeit erhöhen. Bei einer Spannung von 1,5 Vo
